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主频达3GHz 下一代ARM将采用20纳米工艺

台积电与格罗方德这两家全球半导体代工厂将借由其正在开发中的20纳米ARM架构移动处理器,在2014年为我们带来性能上的进一步提升。

主频达3GHz 下一代ARM将采用20纳米工艺

下一代ARM将采用20纳米工艺,主频达3GHz

    目前,采用2.3GHz主频28纳米工艺制程的骁龙800与即将投入使用的Tegra 4i可以说是性能最强劲的移动处理器,而下一代基于ARM架构的移动处理器则可能采用更小的20纳米工艺。

预计采用20纳米工艺制程后,处理器的主频会有30%的显著提升,并降低25%功耗。如果20纳米投入使用,那么ARM处理器的主频则可能提升到3GHz,并通过更多的晶体管来提升图形处理性能。简单来讲,采用290纳米工艺制程后,ARM处理器会为我们带来更强劲的性能与更长的续航时间,相当值得期待。